叠层式微位移驱动器
点击下载：
|
1. 应用领域
叠层式微位移驱动器 (S-I50-11C), 是一个应用广泛的位移控制系统，其可应用于光纤对接，光学微处理系统，医疗科学，集成电路制造，精密加工领域。超薄的压电陶瓷芯片被叠层在一体，具有了保持高灵敏度，低电压、微位移、大驱动力，高稳定性优势
2. 型号
S-I50-11C
3. 结构
单位: mm
外部的封装盒可根据客户实际应用来选择和调整，一般的钛合金可以被选择。
4. 规格
如下性能参数表格是根据驱动器选择 PZT-5X45 材料，尺寸 5.1mm x 5.1mm x 18mm
| 材料 |
Unit |
PZT-5X45 |
| 陶瓷厚度 |
t
(mm) |
0.11 |
| 陶瓷数 |
n |
150 |
| 总长度 |
L
(mm) |
18 |
| 边长 |
L
(mm) |
5.1 |
| 电容 |
C(μF) |
1.1 |
| 绝缘阻抗 |
R(MΩ) |
50 |
| 驱动电压 |
V(v) |
150 |
| 位移 |
D(μm)
|
18 |
| 力 |
F(N)
|
1000 |
| 电极 ( + ) |
- |
Red
wire |
| 电极 ( - ) |
- |
White
wire |
性能曲线 （Type：S-150-11C）
位移/驱动电压 力/位移
 
5. 测试 条件
温度变化
30 分钟 -40℃ 到30分钟 +65℃, 5 循环
☆ 位移变化<= 5%
☆ 电容变化<=20%
☆ 阻抗变化<= 50 MΩ
冲击变化
65℃,85%RH , 24h
☆ 位移变化<= 5%
☆ 电容变化<=20%
☆ 阻抗变化<= 1 MΩ
6. 备注
我们还有其他类型的驱动器 (S-150-20C) ，其用PMN-PT单晶制作，在同样驱动电压(150VDC)
它可以达到 (60um). 输出的力为 400N, 比 S-150-11C稍微小一些.
型号 材料
尺寸 驱动电压（max）
位移(max) 力(max)
S-150-11C PZT-5 5×5×18mm 150v DC 18μm
1000N
S-150-20C PMN-PT 5×5×42mm 150 v DC 60μm
400N
工作环境: -20 ~ 60 ℃
储存温度: -30 ~ 85℃
|
压电陶瓷
叠层式微位移驱动器
